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我国纳米相变芯片获突破成功打破美韩技术封锁速度较前快千倍

发布时间:2019-06-04 02:35 来源:未知 编辑:admin

  时至如今,世界各国之间的竞争在尖端技术领域愈明显,其中小小的芯片无疑非常具有代表性的。芯片,也就是集成电路,在我们平时使用的手机、电脑等任何高科技产品都离不开。

  许多芯片的核心技术都被国外的一些著名公司掌握,其中多项尖端技术此前更是长期被韩国和美国垄断,因此过去很多年中国只能通过依靠大量进口集成电路满足国内需求,相关数据显示我国进口芯片花费的金额曾达到一年几千亿美元,甚至超过了进口石油的费用。而现在,经过多年的努力,我国的科研技术工作者终于打破了美韩两国的技术封锁,成功掌握了相变内存技术,我国大量进口芯片的状况已然成为了过去。ssA京燕头条-懂你的新闻才是你想看的

  据悉,中国成功研发的新型芯片是55纳米相变存储芯片,这对于中国集成电路领域是一次重大突破。我国成为自美韩两国之后,世界第三个成功掌握相变存储技术的国家,拥有完整的属于自己的知识产权。而我国研究这款新型芯片成功的消息,也在国际也引起了轰动。集成电路领域的许多专家认为,所谓的相变存储是国际公认的第四代存储技术,一旦成功实现量产,将比过去芯片执行速度快一千倍,耐用性高一万倍,被业界认为是可以支撑长达三十年的全新存储技术。ssA京燕头条-懂你的新闻才是你想看的

  而这款新型芯片的诞生对于中国的意义也非同一般,代表着我国终于打破了国外对于这项技术长期的封锁,令人十分振奋。据悉,制造这款芯片的有关核心技术,已经申请通过了近六十项专利,还有一百四十多项专利正在等待审核通过。ssA京燕头条-懂你的新闻才是你想看的

  这项技术的研发团队曾简单地向外界描述了技术原理,原来,这种存储技术是通过存储原料在晶态和非晶态下形成导电性差异,以完成对于有关数据的存储工作。和过去的技术比较,其最大优势不仅仅在于运行速度,而且相变存储技术所研发制造的存储器在体积方面会极大程度的减小。形象一点说,就是可以将原来足足有三个足球场大小的存储器转化为一个不到二十平方米的房子里,无论是实用性还是便携性都完全不可同日而语。ssA京燕头条-懂你的新闻才是你想看的

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